圖解 · SK HYNIX vs SAMSUNG

HBM十七年：SK海力士與三星的兩條路

從2009年SK海力士做TSV（矽穿孔，把晶片打洞垂直堆疊）的3D堆疊記憶體開始，一路堅持投資HBM（高頻寬記憶體）至今17年；相較之下，三星在2019年裁撤HBM團隊，長達5年的空窗給予SK海力士反超契機。

資料來源：SK海力士、TrendForce、韓國《中央日報》、《首爾經濟》、瑞銀
製作：《數位時代》
SK海力士堅持投資HBM
17年
2009 → 2026
SK海力士2019年營業利益
2.71兆韓元
▼ 從20.84兆掉約9成
三星HBM團隊空窗
5年
2019裁撤 → 2024重組
SK海力士HBM市占
50%以上
2025年
FIGURE 01 · DUAL TIMELINE

同一條時間軸，兩種相反的決定

SK海力士 三星虛線＝HBM團隊空窗期 2019分岔點 空心＝卡關或挫敗
2019 · 分岔點 SK海力士 投入TSV堆疊 3D記憶體開發 首款HBM顯卡上市 商業失利 全球首家開發HBM3 10月 量產HBM3E 聯手台積電做HBM4 清州封測廠動工 19兆韓元 掛牌募資265億美元 與AMD敲定合作 2013年才公開 HBM2驗證卡關 AMD轉用三星 首家量產HBM3 獨供輝達H100 HBM市占破5成 全球第一顆HBM2E 首用MR-MUF封裝 營業利益跌約9成 三代HBM都搶下業界首家 2009 2010 2015 2016–17 2019 2021 2022 2024 2025 2026 三星 HBM團隊空窗約5年 率先量產HBM2 獨供輝達P100 重組HBM團隊 僅過H20版認證 HBM4良率8成 追平SK海力士 裁撤HBM團隊 判斷市場沒有成長性 12層HBM3E過認證 錯過Blackwell世代
2009 – 2015　押注期
SK海力士　投入TSV（矽穿孔）堆疊、與AMD敲定合作，2015年首款HBM顯卡商業失利。
三星　尚未進入HBM量產。
2016 – 2018　三星領先
SK海力士　HBM2因封裝製程缺陷反覆通不過客戶驗證，AMD轉單。
三星　率先量產HBM2、獨家供應輝達Tesla P100，AMD與Intel也改用三星。
2019　分岔點
SK海力士　營業利益跌約9成，仍發表全球第一顆HBM2E，首度採用MR-MUF封裝。
三星　裁撤HBM團隊，判斷這個市場沒有成長性。
2021 – 2026　SK海力士獨走
SK海力士　HBM3、HBM3E都搶下業界首家量產，2025年市占破5成；2026年動工19兆韓元封測廠、赴美掛牌募資265億美元。
三星　2024年重組團隊、2025年才通過HBM3E認證，2026年8月HBM4良率才追平。
FIGURE 02 · THE FORK

2019年：一邊裁掉團隊，一邊發表全球第一顆

2019 同一年，記憶體產業進入報價崩跌的谷底。兩家對「HBM還要不要做」給了相反的答案。
SK海力士
繼續投資
營業利益從20.84兆韓元掉到2.71兆韓元，只剩前一年的一成三。同一年發表全球第一顆HBM2E，並首度採用MR-MUF封裝技術（把堆疊好的晶片一次灌膠固定，散熱與良率更好），成為後來連續領先的技術底子。
三星
收手
裁撤HBM團隊，理由是判斷這個市場沒有成長性。下一次公開的HBM組織動作要等到2024年3至4月重組團隊，中間隔了五年。
後果：三星到2025年9月才讓12層HBM3E通過輝達（NVIDIA）認證，距離完成開發約18個月，錯過整個Blackwell世代；同期SK海力士的HBM市占衝上5成以上。